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陈弘

研究员|中国科学院【北京】

浏览次数85 更新日期:2018-04-03

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专家介绍

研究领域

       GaN基材料的MOCVD生长及物性研究,GaN基材料在发光二极管、激光器、紫外探测器、微电子方面的应用研究,GaAs基、SiGe材料的MBE材料生长和物性研究。

概况

       发明了一种新的SiGe生长技术。采用低温Si作为应力释放的牺牲层的方法得到了位错密度低于106cm-2的完全弛豫的SiGe层。对GaAs(001)衬底上生长GaN薄膜的相结构的控制进行了系统的研究,提出了完全不同于国外已经报道的影响GaN外延层相结构的生长机制如氮化及其温度和时间、As压的使用等。在GaN基发光二极管外延片的研究中解决了大失配外延,量子阱的生长,发光二极管的结构的生长和设计的问题。GaN HEMT的研究解决了GaN的半绝缘和AlGaN的生长和HEMT的结构优化。联合培养了博士研究生15名,在读博士研究生5名。目前承担863课题、973课题、院创新GaN发光二极管,HEMT和GaAs微电子和探测器等方面的课题。

工作经历

       1984年 西安交通大学电子工程系半导体器件专业毕业,获得学士学位,1992年中国科学院物理研究所获得博士学位,1992年至今从事分子束外延和MOCVD半导体材料生长及结构与物性研究。1996年~1997年 香港科技大学访问工作,从事电镜研究。现为物理所新型化合物半导体材料和物性研究课题组长。

相关专利

申请专利20多项。

论文集合

在国外主要刊物上发表论文70多篇。

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